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【ITBEAR科技资讯】6月26日消息，日本电容器制造巨头村田制作所近日宣布了一项雄心勃勃的计划。据悉，该公司计划在2028年前对其日本国内的金泽、仙台两家工厂以及位于芬兰的子公司进行总计约100亿日元(约合5.02亿元人民币)的投资，旨在将硅电容器产能提高两倍。
硅电容器目前主要应用于医疗设备领域，但未来有望拓展到智能手机和服务器等应用。村田制作所希望通过投资和扩大产能，及时抓住更多市场需求。
硅电容器采用半导体制造工艺制作，其介电层采用稳定性更好的硅材料。相较于目前主流电容器，硅电容器具备更高的电容密度、可靠性和高频特性等优势，其老化时间可长达10年，并且额定温度可高达250℃，在恶劣环境下表现出更好的性能。
然而，目前硅电容器的价格是普通多层陶瓷电容器的几十倍，因此其应用范围仅限于高附加值、对成本不敏感的尖端医疗设备等领域。但考虑到硅电容器在轻薄方面的优势，对于内部空间越来越受限的智能手机来说，硅电容器也是一个相当不错的选择。村田制作所的硅电容器厚度甚至可以达到0.05毫米。
据ITBEAR科技资讯了解，今年3月，村田制作所已宣布将在2024年之前向其法国子公司投资约5000万欧元(约合3.92亿元人民币)，以增加硅电容器的产能。此次投资计划将在两家日本工厂和芬兰子公司建立相同的生产系统，以实现全球化的硅电容器供应。村田制作所将竭力满足不断增长的市场需求，为客户提供高品质的硅电容器产品。
